Numărul de produs al producătorului:
630AT
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
630AT-DG
Descriere:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
87 Piese Noi Originale În Stoc
13001168
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
630AT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
509 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-630AT
4822-630AT
Pachet standard
100
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
630AT
PRODUCĂTOR
Goford Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
87
DiGi NUMĂR DE PARTE
630AT-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
