FQA6N70

Numărul de produs al producătorului:

FQA6N70

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FQA6N70-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P

Descriere detaliată:

N-Channel 700 V 6.4A (Tc) 152W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventar:

4865 Piese Noi Originale În Stoc

12823127

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQA6N70 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Tube

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

700 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6.4A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1400 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

152W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3P

Pachet / Carcasă

TO-3P-3, SC-65-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-FQA6N70-FS

FAIFSCFQA6N70

Pachet standard

243

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRFP4332PBF

MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC

infineon-technologies

IPP80R600P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3

infineon-technologies

AUIRFL014N

MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

infineon-technologies

IRF6646TR1PBF

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET