FDPF51N25YDTU
Numărul de produs al producătorului:

FDPF51N25YDTU

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDPF51N25YDTU-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventar:

566 Piese Noi Originale În Stoc
12946581
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDPF51N25YDTU Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3410 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
FDPF51N25YDTU Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
ONSFSCFDPF51N25YDTU
2156-FDPF51N25YDTU
Pachet standard
153

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW