FQP6N40C
Numărul de produs al producătorului:

FQP6N40C

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FQP6N40C-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

15675 Piese Noi Originale În Stoc
12946586
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQP6N40C Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
73W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FQP6N40C
FAIFSCFQP6N40C
Pachet standard
469

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQP5N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FQPF8N80CYDTU

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3