Numărul de produs al producătorului:
FDG312P
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FDG312P-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventar:
91890 Piese Noi Originale În Stoc
12946840
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDG312P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
750mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-88 (SC-70-6)
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P
Pachet standard
1,649
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
