Numărul de produs al producătorului:
STE70NM60
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STE70NM60-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Inventar:
12946842
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STE70NM60 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
266 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
ISOTOP®
Pachet / Carcasă
ISOTOP
Numărul de bază al produsului
STE70
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-3173-5-NDR
497-3173-5
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN48N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
20
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN48N60P-DG
PREȚ UNIC
18.51
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXKN75N60C
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
648
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXKN75N60C-DG
PREȚ UNIC
50.90
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFN110N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
15
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN110N60P3-DG
PREȚ UNIC
30.78
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
FDS8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FCPF7N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
