FDA18N50
Numărul de produs al producătorului:

FDA18N50

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDA18N50-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventar:

1564 Piese Noi Originale În Stoc
12946683
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDA18N50 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
239W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
FDA18N50 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50
Pachet standard
169

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FQPF630

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

AUIRF1010Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

fairchild-semiconductor

FDD8782

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3