Numărul de produs al producătorului:
EPC2105ENGRT
Product Overview
Producător:
EPC
DiGi Electronics Cod de parte:
EPC2105ENGRT-DG
Descriere:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
Descriere detaliată:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
Inventar:
12795182
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EPC2105ENGRT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
EPC
Ambalare
-
Serie
eGaN®
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
Die
Pachet dispozitiv furnizor
Die
Numărul de bază al produsului
EPC210
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
