EPC2110
Numărul de produs al producătorului:

EPC2110

Product Overview

Producător:

EPC

DiGi Electronics Cod de parte:

EPC2110-DG

Descriere:

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Descriere detaliată:
Mosfet Array 120V 3.4A Die

Inventar:

14435 Piese Noi Originale În Stoc
12795187
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

EPC2110 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
EPC
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Starea produsului
Active
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.4A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pachet / Carcasă
Die
Pachet dispozitiv furnizor
Die
Numărul de bază al produsului
EPC211

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
917-1152-6
917-1152-2
917-1152-1
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
epc

EPC2107

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

epc

EPC2111

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

epc

EPC2103

GANFET 2N-CH 80V 28A DIE

epc

EPC2101ENGRT

GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE