EPC2010
Numărul de produs al producătorului:

EPC2010

Product Overview

Producător:

EPC

DiGi Electronics Cod de parte:

EPC2010-DG

Descriere:

GANFET N-CH 200V 12A DIE
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 12A (Ta) Surface Mount Die

Inventar:

12818019
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

EPC2010 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
EPC
Ambalare
-
Serie
eGaN®
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Die
Pachet / Carcasă
Die
Numărul de bază al produsului
EPC20

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
917-1016-2
917-1016-1
-917-1016-1
-917-1016-2
917-1016-6
Pachet standard
500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
EPC2010C
PRODUCĂTOR
EPC
CANTITATE DISPONIBILĂ
6905
DiGi NUMĂR DE PARTE
EPC2010C-DG
PREȚ UNIC
3.21
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
rohm-semi

RSJ800N06TL

MOSFET N-CH 60V 80A LPTS

rohm-semi

RQ3E130MNTB1

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

rohm-semi

R6012FNJTL

MOSFET N-CH 600V 12A LPT

rohm-semi

RT1A040ZPTR

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8