Numărul de produs al producătorului:
DMTH6012LPSW-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMTH6012LPSW-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta), 50.5A (Tc) 2.8W (Ta), 53.6W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Inventar:
13270045
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMTH6012LPSW-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI5060-8 (Type Q)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
DMTH6012
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMTH6012LPSW-13TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
RQ7E100ATTCR
MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8