Numărul de produs al producătorului:
RQ7E100ATTCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RQ7E100ATTCR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventar:
2642 Piese Noi Originale În Stoc
13270053
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RQ7E100ATTCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2370 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
RQ7E100
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RQ7E100ATTCRCT
846-RQ7E100ATTCRTR
846-RQ7E100ATTCRDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
C3M0021120D
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
DMPH6250S-7
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
DMG3401LSNQ-7
MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
