Numărul de produs al producătorului:
DMT69M5LFVW-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT69M5LFVW-7-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventar:
13000422
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT69M5LFVW-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1406 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMT69M5LFVW-7TR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMT69M5LFVWQ-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMT69M5LFVWQ-7-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UPA1727G-E1-AT
UPA1727G-E1-AT - MOS FIELD EFFEC
G3R12MT12K
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
DMN10H220LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
