SQJ403BEEP-T1_BE3
Numărul de produs al producătorului:

SQJ403BEEP-T1_BE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SQJ403BEEP-T1_BE3-DG

Descriere:

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

2965 Piese Noi Originale În Stoc
13000434
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SQJ403BEEP-T1_BE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SQJ403BEEP-T1_BE3CT
742-SQJ403BEEP-T1_BE3DKR
742-SQJ403BEEP-T1_BE3TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMP3028LFDEQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

goford-semiconductor

9926

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<30

vishay-siliconix

SIHP22N60AE-BE3

N-CHANNEL 600V

goford-semiconductor

60N06

N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M