Numărul de produs al producătorului:
DMT67M8LCG-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT67M8LCG-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 16A (Ta), 64.6A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventar:
13270040
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT67M8LCG-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Ta), 64.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
V-DFN3333-8 (Type B)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
DMT67
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMT67M8LCG-13TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMT67M8LCG-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMT67M8LCG-7-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP3007SPSQ-13
MOSFET 25V~30V POWERDI5060-8
DMTH6012LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3