DMT10H032LK3-13
Numărul de produs al producătorului:

DMT10H032LK3-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMT10H032LK3-13-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

RFQ Online
12992704
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMT10H032LK3-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
683 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
DMT10

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
DMT10H032LK3-13-DG
Fișe tehnice
DMT10H032LK3-13

Informații suplimentare

Alte nume
31-DMT10H032LK3-13
DMT10H032LK3
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506

infineon-technologies

ISC030N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISZ330N12LM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

IPT017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V