DMPH33M8SPSWQ-13
Numărul de produs al producătorului:

DMPH33M8SPSWQ-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMPH33M8SPSWQ-13-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)

Inventar:

12992705
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMPH33M8SPSWQ-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3775 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI5060-8 (Type Q)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
DMPH33

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
31-DMPH33M8SPSWQ-13
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

ISC030N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISZ330N12LM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

IPT017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISC037N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V