DMP2110UVT-13

Numărul de produs al producătorului:

DMP2110UVT-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMP2110UVT-13-DG

Descriere:

MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26

Descriere detaliată:

Mosfet Array 20V 1.8A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount TSOT-26

Inventar:

RFQ Online

12888552

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMP2110UVT-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 P-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

443pF @ 6V

Putere - Max

740mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pachet dispozitiv furnizor

TSOT-26

Numărul de bază al produsului

DMP2110

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMP2110UVT-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

diodes

DMN3022LDG-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333

DMN16M0UCA6-7

MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112

diodes

DMN2025UFDB-13

MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN