DMN3022LDG-13

Numărul de produs al producătorului:

DMN3022LDG-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN3022LDG-13-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333

Descriere detaliată:

Mosfet Array 30V 7.6A (Ta), 15A (Tc) 1.96W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)

Inventar:

RFQ Online

12888605

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN3022LDG-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

Putere - Max

1.96W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-PowerLDFN

Pachet dispozitiv furnizor

PowerDI3333-8 (Type D)

Numărul de bază al produsului

DMN3022

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN3022LDG-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

DMN16M0UCA6-7

MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112

diodes

DMN2025UFDB-13

MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN

diodes

DMC4029SSD-13

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO

diodes

DMC2057UVT-13

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A TSOT26