DMP2100UFU-13

Numărul de produs al producătorului:

DMP2100UFU-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMP2100UFU-13-DG

Descriere:

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN

Descriere detaliată:

Mosfet Array 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Inventar:

RFQ Online

12893899

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMP2100UFU-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 P-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

5.7A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

906pF @ 10V

Putere - Max

900mW

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

6-UDFN Exposed Pad

Pachet dispozitiv furnizor

U-DFN2030-6 (Type B)

Numărul de bază al produsului

DMP2100

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMP2100UFU-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMP2100UFU-13DI

Pachet standard

10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMN32D4SDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

diodes

DMN601DMK-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM9933DCS RLG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOP

diodes

DMT3006LDV-7

MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333