Numărul de produs al producătorului:
DMN32D4SDW-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN32D4SDW-7-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 650mA 290mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
17468 Piese Noi Originale În Stoc
12893981
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN32D4SDW-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
650mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 15V
Putere - Max
290mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
DMN32
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMN32D4SDW-7DIDKR
DMN32D4SDW-7DICT
DMN32D4SDW-7DITR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN601DMK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
TSM9933DCS RLG
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOP
DMT3006LDV-7
MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333