Numărul de produs al producătorului:
DMN95H8D5HCTI
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN95H8D5HCTI-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
18 Piese Noi Originale În Stoc
12884090
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN95H8D5HCTI Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
950 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
DMN95
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMN95H8D5HCTIDI
DMN95H8D5HCTI-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFP5N100PM
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
207
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP5N100PM-DG
PREȚ UNIC
3.67
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMPH4015SSS-13
MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
DMP6185SK3-13
MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
DMN6069SFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
