Numărul de produs al producătorului:
DMN6010SCTBQ-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN6010SCTBQ-13-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 128A (Tc) 5W (Ta), 312W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
Inventar:
12978683
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN6010SCTBQ-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2692 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Ta), 312W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AB (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
DMN6010
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMN6010SCTBQ-13TR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MSCSM120DAM31CTBL1NG
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
DMTH61M8SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMN6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
