Numărul de produs al producătorului:
DMTH61M8SPSQ-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMTH61M8SPSQ-13-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 215A (Tc) 3.2W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventar:
12978687
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMTH61M8SPSQ-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
215A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8306 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.2W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI5060-8 (Type K)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMTH61M8SPSQ-13TR
31-DMTH61M8SPSQ-13CT
31-DMTH61M8SPSQ-13DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMTH61M8SPS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH61M8SPS-13-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
DMTH4014SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMT6006LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
