DMN31D5UFZQ-7B
Numărul de produs al producătorului:

DMN31D5UFZQ-7B

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN31D5UFZQ-7B-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 410mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3

Inventar:

12993072
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN31D5UFZQ-7B Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
410mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.38 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
22.6 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
X2-DFN0606-3
Pachet / Carcasă
3-XFDFN
Numărul de bază al produsului
DMN31

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
31-DMN31D5UFZQ-7B
Pachet standard
10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

ISC015N04NM5ATMA1

40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

infineon-technologies

ISC028N04NM5ATMA1

40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

infineon-technologies

ISC0805NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

global-power-technologies-group

GCMS040B120S1-E1

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S