Numărul de produs al producătorului:
ISC0805NLSATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
ISC0805NLSATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 71A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-46
Inventar:
2594 Piese Noi Originale În Stoc
12993099
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ISC0805NLSATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta), 71A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 40µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-46
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
ISC0805N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-ISC0805NLSATMA1TR
448-ISC0805NLSATMA1DKR
448-ISC0805NLSATMA1CT
SP005430376
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
GCMS040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
SIHP15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SQJ174EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
