Numărul de produs al producătorului:
DMN2016UFX-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2016UFX-7-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 24V 9.9A (Ta) 1.07W (Ta) Surface Mount V-DFN2050-4
Inventar:
12887973
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2016UFX-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
24V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 10V
Putere - Max
1.07W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
4-VFDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
V-DFN2050-4
Numărul de bază al produsului
DMN2016
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS84V-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT563
DMN3135LVT-7
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
DMN2010UDZ-7
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN