Numărul de produs al producătorului:
DMG6602SVTQ-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMG6602SVTQ-7-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
Inventar:
112251 Piese Noi Originale În Stoc
12888030
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
R4vu
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMG6602SVTQ-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Putere - Max
840mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
TSOT-26
Numărul de bază al produsului
DMG6602
Informații suplimentare
Alte nume
DMG6602SVTQ-7DIDKR
DMG6602SVTQ-7DITR
DMG6602SVTQ-7DICT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
DMN1003UCA6-7
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
DMN4031SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
