Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
DMG6602SVT-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMG6602SVT-7-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
Inventar:
94237 Piese Noi Originale În Stoc
12888515
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMG6602SVT-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Putere - Max
840mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
TSOT-26
Numărul de bază al produsului
DMG6602
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
DMG6602SVT-7-DG
Fișe tehnice
DMG6602SVT-7
Informații suplimentare
Alte nume
DMG6602SVT-7DITR
DMG6602SVT7
DMG6602SVT-7DICT
DMG6602SVT-7DIDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDC6333C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
31953
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC6333C-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AO6601
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AO6601-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSL308CH6327XTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
23401
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSL308CH6327XTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
ZXMC3F31DN8TA
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
480
DiGi NUMĂR DE PARTE
ZXMC3F31DN8TA-DG
PREȚ UNIC
0.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AO6602L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AO6602L-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN3401LDW-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
DMN63D0LT-7
MOSFET N-CH 100V SOT523
DMP2110UVT-13
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
DMN61D8LVTQ-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26