Numărul de produs al producătorului:
AON2701
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AON2701-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
12926257
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AON2701 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-DFN (2x2)
Pachet / Carcasă
6-WDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
AON27
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIA811ADJ-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2765
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIA811ADJ-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NTLJF3117PT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
20724
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTLJF3117PT1G-DG
PREȚ UNIC
0.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTD18N06L-1G
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
JANTXV2N6800
MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF
JANTX2N6901
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF
