NTE2382
Numărul de produs al producătorului:

NTE2382

Product Overview

Producător:

NTE Electronics, Inc

DiGi Electronics Cod de parte:

NTE2382-DG

Descriere:

MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

486 Piese Noi Originale În Stoc
12926422
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NTE2382 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bag
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2368-NTE2382
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

SFH154

MOSFET N-CH 150V 34A TO3P

microsemi

JANTXV2N6788

MOSFET N-CH 100V 6A TO205AF

nte-electronics

NTE2383

MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220

onsemi

FDD86113LZ

MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK