Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
CAB425M12XM3
Product Overview
Producător:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
CAB425M12XM3-DG
Descriere:
SIC 2N-CH 1200V 450A
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 450A Chassis Mount
Inventar:
6 Piese Noi Originale În Stoc
12929963
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
CAB425M12XM3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Wolfspeed
Ambalare
Bulk
Serie
CAB425M12XM3
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V (1.2kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
450A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 425A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 115mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1135nC @ 15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
30.7nF @ 800V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Numărul de bază al produsului
CAB425M12
Informații suplimentare
Alte nume
1697-CAB425M12XM3
-3312-CAB425M12XM3
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SP8K3FD5TB1
MOSFET 2N-CH 30V 8SOP
SP8J62TB1
MOSFET 2P-CH 30V 8SOP
SH8KA4TB1
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
JAN2N7335
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB