Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIHF18N50D-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHF18N50D-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
419 Piese Noi Originale În Stoc
13062938
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHF18N50D-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SIHF18
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SIHF18N50D-E3-DG
Fișe tehnice
SIHF18N50D-E3
Informații suplimentare
Alte nume
SIHF18N50DE3
742-SIHF18N50D-E3
SIHF18N50D-E3-ND
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF19NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
982
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF19NM50N-DG
PREȚ UNIC
1.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDPF18N50T
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF18N50T-DG
PREȚ UNIC
1.50
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDPF18N50
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6866
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF18N50-DG
PREȚ UNIC
1.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIHA15N50E-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHA15N50E-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.82
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK15A50D(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
65
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK15A50D(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
1.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJQ404E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SIHB28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
SIHH21N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
SIHB30N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO263