SI7120DN-T1-E3
Numărul de produs al producătorului:

SI7120DN-T1-E3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SI7120DN-T1-E3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 6.3A (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

13058364
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SI7120DN-T1-E3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Ambalaj
Cut Tape (CT)
Starea piesei
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Caracteristică FET
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SI7120

Informații suplimentare

Alte nume
SI7120DN-T1-E3DKR
SI7120DNT1E3
SI7120DN-T1-E3CT
SI7120DN-T1-E3TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
SI7120ADN-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
3413
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7120ADN-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay

SI8467DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

vishay

SUM75N06-09L-E3

MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

vishay

SI7328DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

vishay

SI7425DN-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8