Numărul de produs al producătorului:
SI7104DN-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7104DN-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
13058583
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7104DN-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SI7104
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7439DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
SQJA34EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8