Numărul de produs al producătorului:
SI4442DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4442DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
13060790
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4442DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4442
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF7832TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
13071
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7832TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS8870
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2621
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS8870-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQA470EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
SUM110N04-05H-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
