Numărul de produs al producătorului:
IRF730PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF730PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
23512 Piese Noi Originale În Stoc
13053980
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF730PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF730
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF730PBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFD9113
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
IRFIBF30GPBF
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
IRF530
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
