IRF614STRR

Numărul de produs al producătorului:

IRF614STRR

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF614STRR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

RFQ Online

13052924

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF614STRR Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

-

Serie

-

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Starea piesei

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

250 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

2.7A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

140 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263 (D2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IRF614

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay

IRLZ34S

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

vishay

IRFPE40PBF

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

vishay

IRFR310TRR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay

IRFSL31N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK