IRF610STRRPBF
Numărul de produs al producătorului:

IRF610STRRPBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF610STRRPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

13050437
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRF610STRRPBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF610

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRF610STRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
677
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF610STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay

IRF840SPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

vishay

IRF540STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

vishay

IRF840ASTRR

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

vishay

IRF9Z34

MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB