Numărul de produs al producătorului:
VQ1001P-2
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
VQ1001P-2-DG
Descriere:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Inventar:
12787764
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
VQ1001P-2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
4 N-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
830mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 15V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
-
Pachet dispozitiv furnizor
14-DIP
Numărul de bază al produsului
VQ1001
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
