VQ1001P-2
Numărul de produs al producătorului:

VQ1001P-2

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

VQ1001P-2-DG

Descriere:

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP

Inventar:

12787764
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

VQ1001P-2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
4 N-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
830mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 15V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
-
Pachet dispozitiv furnizor
14-DIP
Numărul de bază al produsului
VQ1001

Informații suplimentare

Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR

vishay-siliconix

VQ1001P-E3

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

vishay-siliconix

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33

vishay-siliconix

SI7946DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8