Numărul de produs al producătorului:
SUP90140E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP90140E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
551 Piese Noi Originale În Stoc
12917960
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP90140E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4132 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP90140
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUP90140E-GE3CT
SUP90140E-GE3TR
SUP90140E-GE3TR-DG
SUP90140E-GE3DKR-DG
SUP90140E-GE3CT-DG
SUP90140E-GE3TRINACTIVE
SUP90140E-GE3DKRINACTIVE
SUP90140E-GE3DKR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
SI5441BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
