Numărul de produs al producătorului:
SUP80090E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP80090E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12915941
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP80090E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3425 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP80090
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUP80090E-GE3CT-DG
SUP80090E-GE3TR-DG
SUP80090E-GE3TRINACTIVE
SUP80090E-GE3TR
SUP80090E-GE3DKRINACTIVE
SUP80090E-GE3DKR
SUP80090E-GE3DKR-DG
SUP80090E-GE3CT
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
SI7456CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
