Numărul de produs al producătorului:
SUP60030E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP60030E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
174 Piese Noi Originale În Stoc
12920757
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP60030E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7910 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP60030
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
SUD23N06-31-T4-GE3
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
SUP50N10-21P-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
