Numărul de produs al producătorului:
SUP57N20-33-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP57N20-33-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
478 Piese Noi Originale În Stoc
12921123
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP57N20-33-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP57
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUP57N2033E3
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHP15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
SIA411DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHG14N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
