Numărul de produs al producătorului:
SUP40P10-43-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP40P10-43-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12920426
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP40P10-43-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP40
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF5210PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
6302
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF5210PBF-DG
PREȚ UNIC
1.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUD23N06-31L-E3
MOSFET N-CH 60V TO252
SQM50P03-07_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
