Numărul de produs al producătorului:
SUG90090E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUG90090E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12918255
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUG90090E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5220 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
395W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SUG90090
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUG90090E-GE3DKRINACTIVE
SUG90090E-GE3CTINACTIVE
SUG90090E-GE3DKR
SUG90090E-GE3TR
742-SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3TR-DG
SUG90090E-GE3CT
SUG90090E-GE3CT-DG
SUG90090E-GE3DKR-DG
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP4668PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
8420
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4668PBF-DG
PREȚ UNIC
4.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4456DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
SI3867DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
