Numărul de produs al producătorului:
SUD50P10-43L-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUD50P10-43L-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
4019 Piese Noi Originale În Stoc
12787259
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUD50P10-43L-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
37.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SUD50
Fișa de date și documente
Desene de produs
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUD50P10-43L-GE3DKR
SUD50P10-43L-GE3TR
SUD50P10-43L-GE3CT
SUD50P10-43L-GE3-DG
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQM50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
