SUD50P08-25L-E3
Numărul de produs al producătorului:

SUD50P08-25L-E3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SUD50P08-25L-E3-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Descriere detaliată:
P-Channel 80 V 50A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

6485 Piese Noi Originale În Stoc
12787316
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SUD50P08-25L-E3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SUD50

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SUD50P08-25L-E3TR
SUD50P08-25L-E3CT
SUD50P08-25L-E3DKR
SUD50P0825LE3
Pachet standard
2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIHG70N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC

vishay-siliconix

SIR814DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHL630STRL-GE3

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

vishay-siliconix

SUD40N10-25-T4-E3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252