Numărul de produs al producătorului:
SUD50N06-07L-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUD50N06-07L-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 96A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12919699
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUD50N06-07L-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SUD50
Informații suplimentare
Alte nume
SUD50N06-07L-GE3CT
SUD50N0607LGE3
SUD50N06-07L-GE3TR
SUD50N06-07L-GE3DKR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SUD50N06-09L-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5732
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUD50N06-09L-E3-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD50N06S4L08ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5818
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD50N06S4L08ATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
SI7454DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
SI7464DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
