Numărul de produs al producătorului:
SUD50N02-09P-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUD50N02-09P-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 20A (Ta) 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12955098
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUD50N02-09P-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SUD50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUD50N02-09P-E3DKR
SUD50N0209PE3
SUD50N02-09P-E3TR
SUD50N02-09P-E3CT
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOD424
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
62191
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOD424-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ146ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
FCH130N60
MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
SST213 SOT-143 4L ROHS
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
